SERIE EN PARALLELSCHAKELING FORMULES
Be tantaliumlaag has a thickness of about 50 nm, the surface resistance of the tantaliumlaag is at least a factor 40, higher than the surface resistance of the nickel layer. Bijvoorbeeld bij microcomput er-s tuurinrichtingen in motorvoertuigen werden tot nu. This also applies to the devices shown in Figs. Er moet een temperatuursensor worden vervaardig. Door vervolgens het carry-look-ahead principe het carry-look-ahead signaal cn predictieoverdrachtsignaal langs andere weg van te voren te genereren, kan een aanzienlijke winst in rekensnel- Then, by the carry-look-ahead principle, the carry-look-ahead signal c n look-ahead by other means to generate in advance, a substantial gain can in rekensnel-. Logical volopteischakeling according to any one of claims 3, 4, 20 or 5, characterized in that it contains the logic gate: In a parallel circuit of FIG.
Er geldt nartelijk dat: In the illustrated arrangement, because of the far-reaching temperature independence of the tantaliumweerstand 11, an adjustment of the resulting temperature coefficient is possible only on the lowest value of the water basin. Bij de uit dunne lagen bestaande inrichting volgens de uit-5 vinding, zoals weergegeven in de fig. De uitgangen 11 en 13 zijn via schakelaars 7 en 9 roet een eerste knooppunt 15 verbonden. At the finished device is encapsulated, the tinned area indicated in the figures with dotted lines, so that only a sensor resistance free-standing 10 protrudes from the encapsulated device. The invention will be elucidated on the basis ran uitvceringsvoorbeelden shown in the drawing, in which drawing: With this pictureetching technique is, on the one hand, from the combination of the tantaliumlaag and the nickel layer, the meander-shaped temperatuursafhankeli jke resistor 10 is formed, and on the other hand, the latter is by etching away of the nickel layer in the region of the temperature-independent resistor 11 from the total number of layers are formed. Ta formed by resistors to be set to a predetermined value by switching to one another of at least two out of 25 thin-layer resistor elements, R q, a with far different temperature coefficients.
AM layer has a certain scattering by the manufacturing of 5. To the circuit 50 to be in. There is nartelijk which: In figuur 3 is een predictieoverdrachtsignaalschakeling 50 30 voor een voloptelschakeling volgens de uitvinding weergegeven. Bijvoorbeeld bij microcomput er-s tuurinrichtingen in motorvoertuigen werden tot nu.
Method and apparatus for translating an effective address to a real address within a cache memory. De nikkellaag en eventueel de tussenlaag worden bij de oudere inrichtingen op het gehele 15 oppervlak van de substraatplaat opgestoven. Met serle uit dunne lagen bestaande inrichting volgens de uitvin- ding wordt het mogelijk EC-oscillatoren bij hoge frequenties te laten werken met een aanzienlijke toeneming van de nauwkeurigheid.
From these formulas, it is possible, if one knows the temperature coefficients and the total resistance occurring during the justeertemperatuur, 20, the resistors 10 and 11 also compute the justeertemperatuur.
NL8103629A – A device with thin layers. – Google Patents
Carry look-ahead circuit, carry generating circuit, carry look-ahead method and carry generating method. In a series arrangement according to FIG. Be solder layer 27 does not cover the temperature-independent resistor 25, since tantalum is not wetted by the tin. Be soldeerlaag 27 bedekt niet de temperatuursonafhankelijke weerstand 25, aangezien tantalium niet door tin wordt bevochtigd. With the thin-layer into the direction according to the invention one obtains a compensation of the temperature coefficient of the RC-product.
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting met dunne lagen, meer in het bijzonder een hybride inrichting of een temperatuur sensormet ten minste twee in de vorm van vlakkea. As is apparent from left above, it is already clear, the predictieoverdracht-s ignaalschakeling 50 for the full adder circuit according to the invention is preferably with complementary field effect transistors with isolated control electrodes carried out. It is the object of the invention to provide for a full-adder circuit 15, wherein the number of logic gates and the number of components transistors is substantially restored to those gates, with the result of the addition is made available parallelschakelong quickly due to the reduction in the number of delay times.
All the above-mentioned resistor is a f untie the temperature of 3? Daarbij wordt van het principe gebruik gemaakt, cm uit de overdrachtsignalen, verder kortheidshalve genoemd carry signalen, die bij de diverse optellingen van bits van qpklimnende significantie ontstaan, een predictie overdrachtsignaal ofwel carry look ahead signalen te vonten, die de juiste logische waarde heeft cm te worden ingevoerd aan de optelpoorten van de neer significante bits parallelschakelling van de direct in significantie opvolgende poort.
![]()
Resistor physical quantity sensor provided with a migration preventing pattern. Method of reference measurement of temperatures and temperature difference, asymmetric temperature sensor and asymmetric reference element for making the same. Zulk een inrichting is reeds vroeger voorgesteld, waarbij een werkwijze werd beschreven voor de vervaardiging van een uit dunne lagen bestaande temperatuursensor voor het snel meten van temperaturen in vloeistoffen en gassen.
Stroomdeler
Aansluitend hieraan wordt het vlakke patroon gevormd door structurering met behulp van de foto-etstechniek. Een inrichting volgens fig. In addition, however, it is also possible that the temperature coefficient of an electrical switching device is compensated for in that the resulting temperature coefficient of the RC-product is made of non-zero 25, but is given a value that compensates for the temperature coefficient of the switching device.
Tengevolge van mogelijke veranderingen, meer in het bijzonder van de overgangsweerstanden,bij het vertinnen door indompelen, vindt de justering plaats na het verbinden van de weerstanden met inachtneming van de eerder gemeten afzonderlijk weerstanden.
Be tantaliumlaag has a thickness of about 50 nm, the surface resistance of the tantaliumlaag is at least a factor 40, higher than the surface resistance of the nickel layer.

Thereafter, the bridge 14 in Fig. For each 15 bit i is a necessary circuit portion 10 shown in Figure 1. Such volcptelschakelingen be by several 15’s firm as integrated circuits placed qp the market, for example Signetics type SN Motorola type Fofmules, respectively. If one has a consisting of nickel thermometer, – wants to apply, for example, if ther mometer for outdoor air in combination with an on-board computer of a motor vehicle, however, is the required measurement accuracy in exchangeability of the Tahi-sensor can only be reached, if eerie only the resistance, but also can be adjusted, the temperature coefficient.
frederik minne’s Matching Games, page 1 – Educaplay
The junction between the N- and P-channel transistors 32, 33, 34, 35 forms the first output 11 of the logic gate 20 5, which further comprises a known per se inverter 40 having complementary transistors 37, 38, of which, the input is connected to the first output 11 and the output of which forms the second output 13 of the logic gate 5.
A device for compensating variations in surface resistance of a resistor on a chip. De uit dunne lagen bestaande inrichtingen volgens de fig. The outputs 11 and 13 are connected via switches 7 and 9 carbon black connected to a first node De poort 5 is opgebouwd met complementaire veldeffecttransistoren en bevat in een ingangsdeel 30 en een 10 inverter 40 aan de uitgang, die eveneens, in figuur 1 is weergegeven.
Stroomdeler – Wikipedia
Carry lookahead logical mechanism using affirmatively referenced transfer gates. Door vervolgens het carry-look-ahead principe het carry-look-ahead signaal cn predictieoverdrachtsignaal langs andere weg van te voren te genereren, kan een aanzienlijke winst in rekensnel- Then, by the carry-look-ahead principle, the carry-look-ahead signal c n look-ahead by other means to generate in advance, a substantial gain can in rekensnel- S 4 0 0 4 0 S S 4 0 0 4 0 S J.
Logical volopteischakeling according to any one of claims 3, 4, 20 or 5, characterized in that it contains the logic gate: Dergelijke poortschakelingen zijn op zich bekend uit de stand van de techniek. The applied current device according to the invention consists of thin layers 55 may in such a manner for setting a temperature coefficient of a total resistance, which may be the dispersion of the characteristics of an industrially manufactured resistance 8, At the finished device parallelschakeljng encapsulated, the tinned area indicated in the figures with dotted lines, so that only a sensor resistance free-standing formiles protrudes from the encapsulated device.
